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產(chǎn)品名稱晶圓電鑄植球模板

訪問(wèn)量：1112

應(yīng)用于4~12寸半導(dǎo)體晶圓級(jí)封裝WLP植球工藝，涵蓋BGA、WLCSP、Flipchip、Bumping、MEMS、MCM（MCP）、WLP、SiP、TSV、Fan-Out芯片常規(guī)芯片和5G芯片。

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技術(shù)參數(shù) 

最小植球錫球直徑：

60um

最小植球間距：

120um

植球位置偏差：

15um

開(kāi)孔誤差：

±5um

鋼片厚度誤差：

±5um

材質(zhì)：

鎳合金

硬度：

400~550HV


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